天津明纬电源报价品牌企业「多图」

开关电源

随着对计算密集型数据服务需求的不断增加，在更小空间内提供更多能量的要求越来越高，为的是尽可能实现数据中心的运行，这已成为一个必然趋势。数据中心如此，电信、工业自动化、汽车及许多其他应用也同样需要高功率密度的电源系统。

可见高功率密度的电源系统是电源行业发展的重要之处。

TI正在利用跨工艺、封装和电路设计的集成技术为客户和应用提供优异的功率密度。TI的GaN器件将GaN FET与高速栅极驱动器集成在一起，能够极大地降低寄生电感和过冲，使工程师能够实现1MHz的高速开关频率。在IC封装中集成无源组件不仅提高了功率密度，实现了更低的环路电感，还可以满足电路板空间受限应用设计的要求。

当我们反激的占空比大于50%会带来什么？好的方面有哪些？不好的方面有哪些？

反激的占空比大于50%意味着什么，占空比影响哪些因素?

：占空比设计过大，首先带来的是匝比增大，主MOS管的应力必然提高。一般反激选取600V或650V以下的MOS管，成本考虑。占空比过大势必承受不起。

第二：很重要的是很多人知道，需要斜坡补偿，否则环路震荡。不过这也是有条件的，右平面零点的产生需要工作在CCM模式下，如果设计在DCM模式下也就不存在这一问题了。这也是小功率为什么设计在DCM模式下的其中一个原因。当然我们设计足够好的环路补偿也能克服这一问题。

当然在特殊情形下也需要将占空比设计在大于50%，单位周期内传递的能量增加，可以减小开关频率，达到提升效率的目的，如果反激为了效率做高，可以考虑这一方法。

全桥：一般用在大于2KW以上，首推移相全桥，特点，双向励磁，MOS管应力小，比LLC应力小一半，大功率尤其输入电压较高时，一般用移相全桥，输入电压低用LLC。成本特别高，比LLC还多用2个MOS。这还不是首要的，主要是驱动复杂，一般的IC驱动能力都达不到，要将驱动放大，采用隔离变压器驱动，这里才是成本高的另一方面