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开关电源

TI功率器件集成技术优势尽显

减少寄生效应：特别是限制功率密度重要因素的寄生电感。例如，TI开发的功能非常强大的GaN功率开关具有更低的寄生效应，可以极快地开关。但作为独立开关，寄生电感会明显限制其性能。为此，TI在其产品LMG3410中将GaN开关与栅极驱动器封装在一起。这样就减少了栅极驱动器和开关之间寄生电感的影响，从而实现了尽可能快速的开关。同时，该器件还集成了无源器件，尤其是输入旁路电容器，减少了寄生环路电感，不仅允许功率器件在较高频率下更快开关，损耗更少，还可以保持器件的电压应力处于较低水平。

当我们反激的占空比大于50%会带来什么？好的方面有哪些？不好的方面有哪些？

反激的占空比大于50%意味着什么，占空比影响哪些因素?

：占空比设计过大，首先带来的是匝比增大，主MOS管的应力必然提高。一般反激选取600V或650V以下的MOS管，成本考虑。占空比过大势必承受不起。

第二：很重要的是很多人知道，需要斜坡补偿，否则环路震荡。不过这也是有条件的，右平面零点的产生需要工作在CCM模式下，如果设计在DCM模式下也就不存在这一问题了。这也是小功率为什么设计在DCM模式下的其中一个原因。当然我们设计足够好的环路补偿也能克服这一问题。

当然在特殊情形下也需要将占空比设计在大于50%，单位周期内传递的能量增加，可以减小开关频率，达到提升效率的目的，如果反激为了效率做高，可以考虑这一方法。

一般的LDO和高PSRR的LDO有甚么分别？

这个问题问得非常典型，其实一般的LDO是起到稳定电压的作用，它对温波造成的控制抑制基本集中在10K以下，在典型的 LDO数据手册里面，在10K或是100K以下的 PSR通常是在40DB以下，因为此时的LDO误差放大器基本上已经失去了放大能力。对于实际的需求来说，很多DCDC电源它的温波频率是在几百 K甚至上兆，如果是一个普通的 LDO，对于这样的噪声抑制没有任何能力，它只对声频范围有抑制能力，对于需频应用的场合，LDO通常是无能为力的，而高PSR的 LDO则能提供这方面的抑制，所以这也是一个根本上的完全不同的区别。